Hydrid-Gasphasenepitaxie von versetzungsarmen und freistehenden GaN-Schichten
Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik 16
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Zusatztext
Diese Arbeit beschreibt die Herstellung von versetzungsreduzierten und freistehenden GaN-Schichten auf der Basis der Selbstablösung von einem Fremdsubstrat. Die wesentlichen Teilaspekte dabei sind das Wachstum dicker GaN-Schichten mittels Hydridgasphasenepitaxie (HVPE), Maßnahmen zur Reduktion der Versetzungsdichte und die Ablösung der Epitaxieschicht vom Fremdsubstrat.
Weitere Details
Erschienen: 03.08.2011
Umfang: 164 S.
Sprache: Deutsch
Einband: KT
Format: 0.9 x 21 x 14.8 cm
ISBN/EAN: 9783869558226
Umbreit-Nr.: 2937432
