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Películas Delgadas de Óxido de Zinc Impurificado con Aluminio

Cover von Películas Delgadas de Óxido de Zinc Impurificado con Aluminio

Dispositivos Semiconductores

Castañeda Aviña, Luis

Editorial Académica Española

39.90

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Zusatztext

En este trabajo se estudió la influencia de la concentración del dopante y de la temperatura del sustrato sobre la composición, la morfología y las propiedades eléctricas de películas delgadas de óxido de zinc impurificadas con aluminio (ZnO:Al). El crecimiento de las películas delgadas se realizó por medio de la técnica de rocío pirolítico neumático sobre sustratos de vidrio sodocálcico. La metodología empleada para la formación de la película fue una disolución de partida 0.2 M de pentaneidonato de zinc y pentaneidonato de aluminio.

Autorenportrait

Profesor Titular "C" Tiempo Completo, en la Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica Unidad Ticomán del Instituto Politécnico Nacional. L. Castañeda ha trabajado por varios años dentro del campo de preparación de óxidos metálicos semiconductores y la física del estado sólido.

Weitere Details

Erschienen: 25.07.2014

Umfang: 60 S.

Sprache: SPA

Einband: KT

Format: 0.5 x 22 x 15 cm

ISBN/EAN: 9783659085505

Umbreit-Nr.: 6048841

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