Yariiletken Ince Filmlerin Silar Teknigi Ile Büyütülmesi

Zusatztext

CdSe yariiletkeni ince film transistörlerde, günes pillerinde, optoelektronik aygit üretiminde, alan etkili transistörlerde, kizil ötesi optikte, isiga bagimli direnç uygulamalarinda ve gama isigi dedektörlerinde yaygin olarak kullanilmaktadir. ZnSe ve karisimlarindan elektromanyetik spektrumun mavi ve yesil bölgesinde çalisan laser elde edilmesi sonucunda, bu malzeme yariiletken teknolojisinde genis yasak enerji aralikli yariiletkenlerin öneminin artmasini saglamistir. Büyütme metotlari arasinda SILAR daha ucuz, daha basit ve az zaman harcanmasi gibi özelliklerinden dolayi son yillarda oldukça tercih edilmektedir. Bu metot bir kimyasal çözeltiden katkilama teknigidir. Bilesik yariiletken ince filmlerin, her bir türünün iyonlarini içeren sulu çözeltiler içerisine taban malzemenin belli bir sira ile daldirilarak, taban malzeme üzerine çökelmesi ile olusmasini saglayan basit bir tekniktir. SILAR yöntemiyle büyütülen CdSe, ZnSe ve bunlarin karisimlanmasi sonucu olusan CdxZn1-xSe ince filmlerinin, sicakliga bagli sogurma, fotolüminesans, SEM, XRD, özdirenç ve kalinlik ölçümleri yapilmistir.

Autorenportrait

1972 yilinda Artvin-Savsat'da dogdu. 1994 yilinda Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisligi bölümününden mezun oldu. Yüksek lisansini yine ayni üniversitede 2000 yilinda bitirdi. Doktorasini Atatürk Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümünde tamamladi. Evli ve üç çocuk babasidir.

Weitere Details